1. benzetme
  2. Karşılaştırma Elektronik Cihazlar
  3. Karşılaştırma Telefon & Tablet Standı/Montajı
  4. Karşılaştırma Bilgisayar Klavyeleri
  5. Karşılaştırma Veri Depolama ve Sürücüler

Karşılaştırma Veri Depolama ve Sürücüler

Bu sayfada sizin için 12 karşılaştırma hazır

VS
Karşılaştırma Team Group L3 EVO SATA 2.5 Inch 240GB kapasiteli {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Team Group L3 EVO SATA 2.5 Inch 240GB kapasiteli {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Team Group L3 EVO SATA 2.5 Inch 240GB kapasiteliİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Mg VS Samsung
Özellik

Team Group L3 EVO SATA 2.5 Inch 240GB kapasiteli

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد و دمای 0 تا 55 *جه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 115 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 470 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gbİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Adata VS Samsung
Özellik

Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک) 8 گرم
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 191,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 510,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2267EN Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Galexbit G500 120Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Galexbit G500 120Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Galexbit G500 120Gbİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Galexbit VS Samsung
Özellik

Galexbit G500 120Gb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 519 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 491 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gbİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Samsung VS Samsung
Özellik

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gbİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Adata VS Samsung
Özellik

Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک) 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Hikvision C100 120Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Hikvision C100 120Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Hikvision C100 120Gbİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Hikvision VS Samsung
Özellik

Hikvision C100 120Gb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 59 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 1.25 وات * حالت خواندن ** 1.28 وات * حالت نوشتن ** 0.3 میلی‌وات * حالت آماده باش 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 435 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tbİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Seagate VS Samsung
Özellik

Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 47 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7250 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Adata Falcon Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Adata Falcon Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Adata Falcon Nvme M2 2Tbİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Adata VS Samsung
Özellik

Adata Falcon Nvme M2 2Tb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.9 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Realtek RTS5762DL Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Samsung VS Samsung
Özellik

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Sabrent Rocket Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Sabrent Rocket Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Sabrent Rocket Nvme M2 1Tbİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Sabrent VS Samsung
Özellik

Sabrent Rocket Nvme M2 1Tb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.7 * 72.13 * 101.85 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1800 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96L TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Hp P500 Usb 3 1 Gen2 120Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Hp P500 Usb 3 1 Gen2 120Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Hp P500 Usb 3 1 Gen2 120Gbİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Hp VS Samsung
Özellik

Hp P500 Usb 3 1 Gen2 120Gb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک ** ان*وید -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه ** قابل نگهداری و استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 *صد -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 10 * 53.9 * 79.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز -
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 45.4 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 1.8 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 1 وات * حالت Idle 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 6,500IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 10,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 380 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 110 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM3350 Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Pny Cs3040 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Pny Cs3040 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Pny Cs3040 Nvme M2 1Tbİle Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Pny VS Samsung
Özellik

Pny Cs3040 Nvme M2 1Tb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4300 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle