1. benzetme
  2. Karşılaştırma Elektronik Cihazlar
  3. Karşılaştırma Telefon & Tablet Standı/Montajı
  4. Karşılaştırma Bilgisayar Klavyeleri
  5. Karşılaştırma Veri Depolama ve Sürücüler

Karşılaştırma Veri Depolama ve Sürücüler

Bu sayfada sizin için 12 karşılaştırma hazır

VS
Karşılaştırma Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 2Tb
VS
Karşılaştırma Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 2Tb

Karşılaştırma Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gbİle Samsung 860 Qvo 2Tb

Samsung VS Samsung
Özellik

Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

Samsung 860 Qvo 2Tb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 62 گرم
میزان توان مصرفی 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 89,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 6400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
کنترلر (Controller) Samsung Elpis Samsung MJX
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tbİle Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Samsung VS Samsung
Özellik

Samsung 860 Qvo 2Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Phoenix
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tbİle Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

Samsung VS Adata
Özellik

Samsung 860 Qvo 2Tb

Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 62 گرم 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX Silicon Motion SM2267EN
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tbİle Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Samsung VS Adata
Özellik

Samsung 860 Qvo 2Tb

Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 NANYA DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX SMI SM2262EN
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Sd600Q 960Gb
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Sd600Q 960Gb

Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tbİle Adata Sd600Q 960Gb

Samsung VS Adata
Özellik

Samsung 860 Qvo 2Tb

Adata Sd600Q 960Gb

نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 62 گرم 60 گرم
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX Maxio Technology MAS0902A
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tbİle Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

Samsung VS Samsung
Özellik

Samsung 860 Qvo 2Tb

Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Elpis
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tbİle Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Samsung VS Samsung
Özellik

Samsung 860 Qvo 2Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Phoenix
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tbİle Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Samsung VS Samsung
Özellik

Samsung 860 Qvo 2Tb

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Phoenix
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb

Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tbİle Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb

Samsung VS Samsung
Özellik

Samsung 860 Qvo 2Tb

Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 62 گرم 98 گرم
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tbİle Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

Samsung VS Adata
Özellik

Samsung 860 Qvo 2Tb

Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb

Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tbİle Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb

Samsung VS Adata
Özellik

Samsung 860 Qvo 2Tb

Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 62 گرم 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb
VS
Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

Karşılaştırma Samsung 860 Qvo 2Tbİle Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

Samsung VS Xpg
Özellik

Samsung 860 Qvo 2Tb

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX SMI SM2262EN
Karşılaştırma Detaylarını Görüntüle