Karşılaştırma Veri Depolama ve Sürücüler

Bu sayfada sizin için 12 karşılaştırma hazır

Karşılaştırma Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gbİle Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Özellik

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix SMI

Karşılaştırma Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tbİle Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Özellik

Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 13 * 59 * 88 میلی‌متر 3 * 22 * 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، آبی، طوسی -
وزن محصول 98 گرم -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - SMI

Karşılaştırma Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gbİle Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Özellik

Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) 3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک) -
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 191,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 510,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3800 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2267EN SMI

Karşılaştırma Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gbİle Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Özellik

Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 * 22 * 80 میلی‌متر 3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 13.4 گرم -
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 210,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - SMI

Karşılaştırma Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gbİle Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Özellik

Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) 3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک) -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - SMI

Karşılaştırma Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gbİle Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Özellik

Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64-Layer 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3 -
کنترلر (Controller) SMI SM2262EN SMI

Karşılaştırma Samsung 970 Pro M2 1Tbİle Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Özellik

Samsung 970 Pro M2 1Tb

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 2-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Controller SMI

Karşılaştırma Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbİle Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Özellik

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix SMI

Karşılaştırma Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbİle Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Özellik

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix SMI

Karşılaştırma Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gbİle Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Özellik

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر 3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 11 گرم -
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64-Layer 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3L -
کنترلر (Controller) SMI SM2262EN SMI

Karşılaştırma Samsung 980 Nvme M2 1Tbİle Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Özellik

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller SMI

Karşılaştırma Asgard An2 Nvme M2 1Tbİle Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

Özellik

Asgard An2 Nvme M2 1Tb

Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI DM620